エントリーシート（SE）

学業、ゼミ、研究室などで取り組んだ内容(250字以下)

集積回路の進展の理由などを学びました。集積度向上の理由の1つ目は、MOSトランジスタと呼ばれる半導体スイッチ素子の発明でした。2つ目は、半導体に数多くのトランジスタを乗せることで、機器は小型化できるというキルビーの発見でした。3つ目は、製造技術での素子の最小寸法であるフィーチャーサイズの進歩が挙げられます。向上スピードは、1975年から40年以上、3年で4倍のペースで増加していきました。この...